Tranzistò

• 2N0609

  2N0609

  Plis
• IRLML6401TRPBF

  • San alojene Dapre IEC 61249-2-21 Definisyon • TrenchFET Power MOSFET • 100 pousan Rg Teste •

  Plis
• IRF1018ESTRLPBF

  Amelyore pòtay, lavalas ak dinamik dv/dt solidite totalman karakterize kapasite ak lavalas SOA

  Plis
• BD243C

  BD243B ak BD243C yo se Silisyòm Epitaxial-Base NPN tranzistò ki te monte nan Jedec TO -220 pake

  Plis
• IRF9540NPBF

  Senkyèm Jenerasyon HEXFET ki soti nan International Rectifier itilize teknik pwosesis avanse pou

  Plis
• MIZIK427YM

  Fanmi MIC4426/4427/4428 yo se chofè MOSFET doub ki trè serye ki fabrike sou yon pwosesis

  Plis
• IRFP064NBF

  Senkyèm Jenerasyon HEXFET ki soti nan International Rectifier itilize teknik pwosesis avanse pou

  Plis
• AOD407

  Deskripsyon Jeneral AOD407 la itilize teknoloji tandans avanse bay RDS ekselan (ON), chaj baryè ki

  Plis
• FDP61N20

  Deskripsyon UniFETTM MOSFET se fanmi MOSFET vòltaj segondè Fairchild Semiconductor ki baze sou bann

  Plis
• IPD90N04S4-05

  Karakteristik • N-chanèl - Mòd amelyorasyon • AEC kalifye • MSL1 jiska 260 ° C pik reflow • 175 ° C

  Plis
• Ao3415

  AO3415 la sèvi ak teknoloji avanse pou bay RDS ekselan (ON) , ki ba baryè baryè ak operatè ak

  Plis
• AO3407A

  AO3407A a se segondè a dansite segondè tandans PCH MOSFETs, ki bay ekselan RDSON ak efikasite pou

  Plis