KARAKTERISTIK YO
● NPN epistaxial silicon, konsepsyon planar.
● Kolektè-emitter voltage VCE=40V.
● Kolektè kouran IC = 0.2A.
● Tranzisyon frekans fT>300MHz @ IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz.
● Nan konfòmite avèk ER ROHS 2002 /95 / EC direktiv.
Baj popilè: mmbt3904, Lachin, Swèd, manifaktirè, an gwo, nan stock
